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产品信息
产品详细说明
产品特性：
• 25纳米，35纳米, 45纳米和55纳米的存取时间
• 在掉电模式下，“Hands-off”自动存储，带外部68微法电容
• 在掉电模式下，通过硬件，软件或自动存储贮存发起的非挥发性的物质
• 记忆由软件或是电源恢复下发起的SRAM
• 在200纳米的周期时间上，10毫安特有的ICC
• 无限制的读、写和记忆循环
• 对非挥发性物质1,000,000贮存周期（商业/工业）
• 非挥发性物质100年的数据记忆力（商业/工业）
• 有商业级，工业级和军工级三个温度
• 在掉电模式下，“Hands-off”自动存储，带外部68微法电容
• 在掉电模式下，通过硬件，软件或自动存储贮存发起的非挥发性的物质
• 记忆由软件或是电源恢复下发起的SRAM
• 在200纳米的周期时间上，10毫安特有的ICC
• 无限制的读、写和记忆循环
• 对非挥发性物质1,000,000贮存周期（商业/工业）
• 非挥发性物质100年的数据记忆力（商业/工业）
• 有商业级，工业级和军工级三个温度
• 有3种封装：28-Pin SOIC, DIP 和 LCC